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フラーレン化合物でトンネル磁気抵抗効果確認

掲載日:2006年 9月25日

さまざまな分野への応用が期待されているフラーレンの化合物に、これまでで最高レベルのトンネル磁気抵抗効果が生じることを、日本原子力研究開発機構と東北大金属材料研究所の研究チームが発見した。

エレクトロニクス分野のブレークスルーにつながると期待されている、電子のスピンを活用する「スピントロニクス」分野でも、フラーレン化合物が大きな可能性を持つことを示す成果として注目される。

研究チームが用いた材料は、日本原子力研究開発機構が発見したフラーレンとコバルトの化合物。トンネル磁気抵抗効果は、「スピントロニクス・デバイス」が実現した場合の動作原理になると期待されている現象で、今回の成果は、フラーレン・コバルト化合物が今後、磁気ランダムアクセスメモリなど新しい電子素子・デバイスへの応用が期待されることを示している。

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